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、芯片
Z P H F Φ30 / 18
规格 类型 封装方式 芯片极性 芯片直径   峰值电压×100V
Z 硅整流 P 普通 H 焊接   正向不标注      
K 可硅控 K 快速 Y 压接 F 反向      
    X 旋转              
    E 焊机              
    B 雪崩              
    A 高频              
    N 阻尼              
二、元件
Z P L F 300A / 18
规格 类型 封装方式 元件极性 额定电流   峰值电压×100V
Z 硅整流 P 普通 L 螺旋   正向不标注      
K 可硅控 K 快速 P 平板 F 反向      
    X 旋转              
    E 焊机              
    B 雪崩              
    A 高频              
    N 阻尼              
三、模块
  M D S 300A / 18
  模块 类型 电路形式 额定电流   峰值电压×100V
        D 硅整流 A 共阳极      
                  T 可硅控 K 共阴极      
        Z 快速整流 Q 单相桥      
        K 快速可控 S 三相桥      
        F D和T C 串联      
        H Z和K X 反并联      
            G 三相共阳      
            Y 三相共阴      

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符号 术语 单位 英文
VRRM 反向重复峰值电压 V repetitive peak reverse voltage
VDRM 断态重复峰值电压 V repetitive peak of-state current
VDSM 断态不重复峰值电压 V non-repetitive peak off-state voltage
VRSM 反向不重复峰值电压 V non-reetitive peak reverse voltage
VTM 通态峰值电压 (晶闸管) V peak on-state voltage
VFM 正向峰值电压 (整流管) V peak forward voltage (of diode)
VT 通态平均电压 (晶闸管) V Average on-state voltage
VF 正向平均电压 (整流管) V Average forward voltage
VTO 通态门槛电压 (晶闸管) V On state threshold voltage
VFO 通态平均电压 (晶闸管) V The positive threshold voltage
VGT 门极触发电压 V gate trigger voltage
VTSO 绝缘电压 V Insulation voltage
IRRM 反向重复峰值电流 mA repetitive peak reverse current
IDRM 断态重复峰值电流 mA Repetitive peak off-state current
IT(AV) 通态平均电流 (晶闸管) A mean on-state current
IF(AV) 正向平均电流(整流管) A Average forward current
ITRMS 通态电流有效值 A On-state current effective value
ITSM 通态浪涌电流(晶闸管) A surge on-state current
ITM 通态峰值电流 (晶闸管) A peak on-state current
IGT 门极触发电流 mA gate trigger current
IFSM 正向浪涌电流 (整流管) A surge forward current
IFM 正向峰值电流 (整流管) A peak forward current (of diode)
IFRMS 正向电流有效值 A Forward current effective value
I2t 电流平方时间积 A2S Circuit Fusing Consideration
IH 维持电流 mA Holding Current
IO 额定整流电流(输出值) A Rated current (output value)
IR 反向电流 mA reverse current
Irr 反向恢复电流(ZK) A reverse recovery current
IL 擎住电流 mA Latching Current (IGT3)
dv/dt 断态电压临界上升率 V/us critical rate of rise of off-state voltage
di/dt 通态电流临界上升率 A/us critical rate of rise of on-state current
(di/dt)C 换向电压临界上升率(KS) A/us critical rate of rise of commutating voltage
rT 通态斜率电阻 (晶闸管) On-state slope resistance
rF 正向斜率电阻 (整流管) The positive slope resistance
Rjc 结壳热阻抗 ℃/W junction-case thermal resistance
PSM 反向浪涌功率 W Surge reverse power
PQ 门极平均功率 W Average gate power
PGM 门极峰值功率 W peak gate power
Qrr 反向恢复电荷 (ZK) uc reverse recovery charge
Tjm 最高额定结温 maximum virtual junction temperature
THS 散热器温度 Radiator temperature
Tq 电路换向关断时间 (KK) us cricuit commutated turn-off time
ton 开通时间 us turn on time
trr 反向恢复时间 (ZK) us reverse recovery time (of diode)
TC 管壳温度 Shell and tube temperature
Tstg 贮存温度 Storage Temperature Range
ts 存储时间 h storage time

 

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